SJ 20169-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for type 3DK36 power switching transistor.
1范围
1.1主题内容
SJ 20169规定了3DK36B~H型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下的规定(见图1)。
2引用文件
GB4587--84双极型晶体管测试方法.
GB 7581--87半导体分 立器件外形尺寸
GJB 33--85半导体分 立器件总规范.
GJB 128-86半导体分 立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。
3.2设计 、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。
3.2.1引出线材料和涂层
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时,在合同.或订货单中应子规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB 33的规定
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定.
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对 GT和GCT级)
器件的筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1规定极限值的器件应子剔除。
SJ 20169-1992 半导体分立器件3DK36型功率开关晶体管详细规范
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