SJ 20072-1992.Detail specification for semiconductor opto-couplers for type CH24、GH25 and GH26.
1范围
1.1主题内容
SJ 20072规定了陶瓷封装的GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
2引用文件
GB 4587-84双极型晶体管测试方法
GJB 33-85半导体分立器件总规范
GJB 128-86半导体分立器件试验方法.
SJ 2215.1~2215.14-82半导体光耦合器测试方法.
SJ/Z 9014.2-87半导体器件分立器件和集成电路第5部分;光电子器件
3要求
3.1 概述
各条要求应按GJB 33、SJ/Z 9014. 2和本规范的规定。
3.2缩写、符号和定义
本规范使用的缩写、符号和定义应符合GJB 33、SJ/Z 9014. 2和本规范的规定，
Ip-正向瞬态峰值电流。
CTR--直流电流传输比。
Rumo-输入与输出间绝缘电阻。
Cim-输入与输出间电容。
Vuo-最大直流隔离电压。
3.3设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范图1的规定。
3.3.1引线材料和涂层
引线材料应为可伐合金或等效物。引线涂层应为涂金、镀锡或浸锡。如果要求选择引线涂层,应在合同中规定(见6.2条)。
3.4 标志
制造厂有权将GJB 33中规定的下列标志从管体省略。
a制造厂的识别。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对 GT和GCT级)
筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1和表2的规定进行,超过表1和表2极限值的器件不应接收。
SJ 20072-1992 半导体分立器件GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器详细规范
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