SJ 20069-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon switching diode for type 2CK76,2CK105 and 2CK4148.
1范围
1.1主题内容
SJ 20069规定了2CK76型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范>的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸>中的D2-02A型,见图1.
2引用文件
GB 4023- -86半导体分立器件 第2部分整流二极管
GB6571--86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法
GB7581--87半导体分立器件外形尺寸
GJB 33- -85半导体分立器件总规范
GJB 128-86半导体分 立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。
3.2设计 、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定。
3.2.1引出端材料和涂层.
引出端材料应为铜包铁丝,引出端表面应为锡层。对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条)。
3.3标志
器件标志应按GJB 33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定 检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅适用于GT 和GCT级)
筛选应符合GJB 33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除。