SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法

SJ/T 11471-2014.Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes.
1范围
SJ/T 11471规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。
SJ/T 11471适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓钢磷系及铝镓铟氮系外延片。
2规范性引用文件
下列文件对于本文明的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文作仅生日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件，
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