SJ/T 11470-2014.Epitaxial wafers of light-emitting diodes.
1范围
SJ/T 11470规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
SJ/T 11470适用于镓砷磷系、镓铝砷系
2规范性引用文件
下列文件对于本文生的应用是必不可少的。凡是注8期的引用文件，又注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文作其最新版本(包括所有的修改单)适用于术文件，
GB/T 2828.1-200计数拥科检验程第1部分:按技收质量成m山)检索的逐批检验抽样计划(ISO 2856-199)
GB/T 14254-2009导材料术语
SJ/T 009 半导体照明术语
SJ/T 11396-2009 货北镇林发光极管值宝石村底片
SJ/T 1128到1-2014发光一 极管外延片测试方2
3术语和定义
GB/T 12645-2019、 SJ/T 1395- -2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
辐射功率保持率radiantrpower maintenance
芯片在规定工作条件，连续工作规定时间后的辐射功率的值与初好值之比。
4分类
4.1按有源层材料分类
外延片按有源层材料分为:
a)镓砷磷系 (GaASr-P) ;
b)镓铝砷系 (Gar-Al,As) ;
c)铝镓铟磷系 (AlLGa,In---P) ; .
d)铝镓铟氮系 (AlLGaIn--N) 。
SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片
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