SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法

SJ/T 11494-2015.Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities.
1范围
SJ/T 11494规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。
SJ/T 11494适用于低位错密度(< 500个/cm2)硅单晶中导电性杂质碉、磷含量的测定，同时也适用于检测硅单晶中含量为的各种西性杂质。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件仅所胜日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的明文件我最新版本C也括所有的修改单适用于和文件。
GB/T 13389按动控游碍单晶电阻率与掺公浓度的换算规科
GB/T 24581低温内里叶要抄红外光谱测众硅单晶中I-V能获质含量的标准古法
3术语和定义
下列术语和这义适用于本文件。
3.1
缺陷光荧光错eet luminescence Imes
由硅中缺陷产生的些特征吸收。
3.2
电子空位液滴(EID) dletnon Tiole drople(EHD)
由光激发产生的激子气你的冷美相
3.3
激子exciton
是由一个空位晶格(自由激子)或杂质原子点(束缚激子)结合在-起的能发光的电子空穴对。
3.4
非本征谱(XTo (BE)或XNp (BE) ) extrinsic line (XTo (BE)或XNp (BE) )
由晶格中的杂质原子点(束缚激子)捕获激子而产生的光荧光谱。
在4.2 K温度下非本征激子的结合能，它的能量比本征发射低得多。X是杂质元素符号，BE表示束缚激子荧光谱。非本征荧光同样包括特征吸收，是因为束缚的多个激子复合(b1, b2, b3分别表示第一、第二和第三束缚的多个激子复合)。在施主荧光谱中，这些复合在TO区域出现了两个系列的谱线，叫做a系列和β系列。在符号后面加撇号来表示弱的β系列特征吸收，即Pro(b1')(见附录A中表A.1和表A.2)。

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