SJ/T 11495-2015.Guide to conversion factors for interstitial oxygen in silicon.
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009制定的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SACTC203)归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。
本标准主要起草人:李静、何秀地:围1NFOD
1范围
SJ/T 11495规定了硅中间隙氧的转换因子指南。
SJ/T 11495适用于在室温下测试电阻率大于0.1Ω●cm的n型硅单晶和电阻率大于0.5Ω●cm的p型硅单晶中间隙氧含量。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1557-2006硅晶体中间腺氧含量的红外吸收测量方法
3各标准之间进行换算 的转换因子
3.1表1给出使用不同版本的校正系数计算硅中间隙氧含量数值。目前，氧含量用两种单位表示，分别为ppma或at●cm表示。
SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南
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