SJ/T 11552-2015.Test methods for measurement of nterstitial oxygen content of slion wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle.
1范围
SJ/T 11552规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。
SJ/T 11552适用于测试室温下电阻率大于52cm的硅单晶中间際氣含量，特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从至硅单晶中间院氧的最大固溶度。
2术语和定义
下列术语和定双通于本文件。
2.1
p型偏振照馬y ppolan red radiation
电矢量平行与入射平面的偏振辐射。
2.2
背景光语(bed :kground spectrum
在红外光出仪中,无样显有在的情况下使用单光束刚量获得的普线(通常包括氮气，空气等信息)。
2.3
参比方法O Tereapce method
用测试样品光活却除参比样品光谱，消除硅晶格振动引起的吸收影南人获将测试样品含氧的红外透射光谱，要求无氧参原样品与测试样品厚度差小于+0.5%。
2.4
参比光谱rferencospectunp
参比样品的光谱。用双光重光请收测试时，可以把客比样品放在样品光路测量，让参比光路空着，由參比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比糕品光谱，用单光束光谱仪测试时，直接用参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比样品光谱。
2.5
样品光谱sample spectrum
测试样品的光谱。用双光束光谱仪测试时，可以把测试样品放在样品光路测量，让参比光路空着，由测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱:用单光東光谱仪测试时，直接用测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱。
SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
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