SJ 50033/172-2007.Semi conductor discrete dev icesDetail specification for type 3DA519 silicon micr owave pulse power transi stor.
1范围
SJ 50033/172规定了3DA519型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示。
2引用文件
下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修改单(不包括勘误的内容)或修订版本都不适用本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T 4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分: 双极型晶体管
GB/T 7581半导体分立器件外形尺寸
GJB 33A-1997半导体分立器件总规范
GJB 128A-1997半导体分立器件试验方法
3要求
3.1 总则
器件应符合本规范和GJB 33A-1997规定的所有要求。本规范的要求与总规范不一致时，应以本规范为准。
3.2设计、结构和外形尺寸
3.2.1引出端材料和镀涂层
发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面锻金。
3.2.2器件结构
本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管，具有阻抗匹配网络。采用金属陶瓷外壳封装。
SJ 50033/172-2007 半导体分立器件3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
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