SJ/T 2354-2015.Measuring methods for photodiodes of PIN、APD.
1范围
SJ/T 2354规定了PIN、雪崩光电二极管(以下简称“二极管”)光电参数的测试方法。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注8期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2421.1- 2008 电工电子产 品环境试验概述和指南
GB/T 11499- 2001 半导体分立器件文字符号
GB/T 15651半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分: 光电子器件
3术语和定义
GBT 114992001 和GB/T 15651界定的以及下列术语、定义适用于本文件。
3.1
反向击穿电压reverse breakdown voltage
无光照并通过二极管的反向电流为规定值时，两极间产生的电压降.
3.2
暗电流dark current
无光照并在二极管两端施加规定的反向偏置电压时，通过二极管的电流。
3.3
正向电压forward voltage
Vp
无光照并通过二极管的正向电流为规定值时，两极间产生的电压降。
3.4
电容capacitance
无光照并在规定反向偏置电压和频率下，二极管两极间的电容值。
SJ/T 2354-2015 PIN、雪崩光电二极管测试方法
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