SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法

SJ/T 2215-2015.Measuring methods for semiconductor photocouplers.
1范围
SJ/T 2215规定了半导体光电耦合器(以下简称“器件”)的测试方法。
SJ/T 2215适用于半导体光电耦合器。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用形必木面少的。凡是注日期的回用父胜仪日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文什城新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GBT 2421.1- 2008电工电子产品环境试验概述 和指南
GB/T 11499 7201半导体分器件文字孩号
GB/T 15651-195半导体器件分立器件和集成电路第5部分: 光电子作
3术语和定义
GB/T 114995 2001、GB/T15651-1995界庄的以及下列术证、定义和符号适用于本文件。
3.1
正向电压输入工极管)forwardvoltage
输入二极管的正物的流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。
3.2
正向电流(二极管Connerdcument
在被测二极管两端加-定的乐向电I
3.3
反向电流(二极管)reverse current
在被测二极管两端加规定反向电压Vk时通过二极管的电流。
3.4
反向击穿电压(二极管) reverse voltage
VBR
被测二极管的反向电流lk为规定值时，在其两极间所产生的电压降。

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