SJ/T 11701-2018 通用NAND型快闪存储器接口

SJ/T 11701-2018.Common NAND flash memory interface.
1范围
SJ/T 11701规定了通用NAND型快闪存储器的物理接口、阵列排布、数据接口和时序以及指令定义等。
SJ/T 11701适用于“异步”接口,对于“同步”接口可参照执行。
SJ/T 11701支持1.8 V/3.3 V两种电源电压类型的NANB型快闪存储器(以下简称器件),同时还支持双列弯引线(SOP)封装和平面触点阵列(59W邹蔑T对于其他电源电压和封装形式的NAND型快闪存储器产品也可参考执行。
2规范性引用文件
3术语和定义
下列术吾和定适用于机
3.1
NAND器化NAND Targe
在一个A个B封装片内几小使能信号的逻辑单元大的芯片组。
3.2
逻辑单元块Hugicel unit number
可以独立执行要以及报告内部状态的最小单元。每个NAND器件的人可以有一个或者多个逻辑单元块。
3.3
页缓存器Pagebuffer
页缓存器用于缓存NAND存储阵列的一个页内的数据。外主控可以通过发送列字节地址对页缓存器进行访问。
当外部数据写入NAND时,页缓存器缓存外部数据。编程操作时,页缓存数据搬至阵列。
当数据从阵列读出时,阵列数据先搬到页缓存器。
3.4
平面地址plane
平面为一个逻辑单元块中区块的集合。一个逻辑单元块可以包含一个, 两个或者四个平面。两平面芯片将一个逻辑单元块划分为两个大的区域,可以同时进行编程、擦除、读操作的区块为2个。

SJ/T 11701-2018 通用NAND型快闪存储器接口

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