SJ/T 11586-2016.10keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices.
1范围
SJ/T 11586规定了使用X射线辐射源(平均能量约10 keV,最大能量不超过100 keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。
SJ/T 11586适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。
SJ/T 11586不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应后是必不向少的。凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件C其最新版本(包括所有的修改单)适用
GB 3102.10该风核电离辐射的量和单位
GB/T 2900.6-2004电工术语半导体器件和集成电路(TO 60050-5242002)
GB 18871 电离招射防护与福射源安全基本标准
GJB 548B-2003微电子器件试验力法和程: F
3术语和定义
GB 3102. l0kGB/ I 2900. 66界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
吸收剂量增强乙2bsorbed-dose enhancement
吸收剂量增强指力料吸收剂量相对于平衡吸收剂量的变量;通常发生在该时科与不同原子序数材料接触的界面附近。
3.2
平衡吸收剂量equhlibrioumnabsorbed dose
平衡吸收剂量指材料内辆照感应带电粒子的能量、数量日吸移动方向在整个体积内都处于平衡条件下的吸收剂量。
3.3
电离辐射效应ionizing radiation effects
电离辐射效应指辐照感生的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷导致的器件电参数或性能发生变化的现象，又称为“总剂量效应”。
3.4
时变效应time dependent efects
时变效应指在辐照试验期间和试验完成后，由于辐照感生氧化物陷阱电荷的形成和退火以及界面陷阱电荷的形成引起的器件和电路的电参数或性能随时间的变化。
3.5
辐照评估试验radiation evaluation test
SJ/T 11586-2016 半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法
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