SJ/T 2658.5-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 5:Series connection resistance.
前言
SJ/T 2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分:
——第1部分:总则;
——第2部分: 正向电压;
——第3部分:反向电压和反向电流;
——第4部分:总电容;
——第5部分:中联电阻: AND INFO:
——第6部分:辐射功率;
——第7部分:辐射通量
——第8部分: 辐射强度; ,
——第9部分;/辐射强度空间分布和半强度角;
——第10部分:调制带宽
——第11部分:响应时间:
——第12部分峰值发射波长和光谱辐射帶宽;
——第13 部分:辐射功率温度系数:
——第14部分:结温;
——第15部分，热阻;
——第16 部分:光电转换效率
本部分为SJE2058的第5部分。
本部分按照GB/T1.1- 2009 《标准化工作导则第1部分 :标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SJ/T2658.6- 1986 《半导体红外发光二极管测试方法正间 串联电阻的测试方法》，除编辑性修改外主要技术变化如下:
1范围
SJ/T 2658.5规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)串联电阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.5适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T 2658.1半 导体红外发射二极管测量方法第1部分: 总则
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
串联电阻series connection resistance
正向工作状态下，在被测器件I-V特性曲线(见图1)的线性区内,器件两极之间的电压增量与通过器件的电流增量之比。计算方法见公式(1):
SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
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