SJ/T 2658.6-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 6: Radiant power.
1范围
SJ/T 2658.6规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.6适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件仪理团期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引由文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2909.65-2004电工术语:照明
SJ/T 2658.1平导体红外发射二极管测量方法第1部分: 总则
3术语和定义
GB/T 2900.5-2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件
3.1
直流辐射功率Cdineat current radiant power
在规定的正向直流电流作用下，器件所发出的光功率。
3.2
脉冲辐射功率pulse radiantpower.
在规定幅度、频率和占空比的知形脉冲电就作用下，器件所发出的光功率。
4一般要求
测量辐射功率的一般要求应符合SJ/T 2658. 1的规定。
5直流辐射功率的测量
5.1方法I-暗箱法
5.1.1测量原理图
采用暗箱法测量直流辐射功率的原理图见图1.
5.1.2测量步骤
采用暗箱法测量直流辐射功率按下列步骤进行:
a)按图1 连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与被测器件的发光面互相平行并尽量靠近，且被测器件所发射的光斑要全部落在探测头的有效接收区域内;
b)调节恒流源， 使正向电流I为规定值，读取探测系统示数后得到被测器件的直流辐射功率值。
5.1.3 规定条件
有关标准采用本方法时，应规定以下条件:
a)环境温度;
b)正向电流Ip。
5.2 方法II一 积分球法
5.2.1测量原理图
采用积分球法测量直流辐射功率的原理图见图2.
SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
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