SJ/T 2217-2014.Technical specification for phototransistor of silicon.
1范围
SJ/T 2217规定了硅光电晶体管(以下简称“器件”)光电特性、机械特性和环境性能的技术要求、检验方法和检验规则。
SJ/T 2217适用于3DU系列硅光电晶体管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注8期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.1电工电子产品环境试验第1 部分:试验方法试验A:低温
GB/T 2423.2电工电子产品环境试验第2 部分:试验方法试验B:高温
GB/T 2828.1- -2003计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4589.1- -2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 4937 (所有部分)半导体器件 机械和气候试验方法
GB/T 11499- 2001 半导体分 立器件文字符号
GB/T 12565- -1990 半导体器件 光电子 器件分规范
GB/T 15651半导体器件 分立器 件和集成电路第 5部分:光电子器件
SJ/T 2247- 1982 半导体光电子 器件外形尺寸
SJT2214- -2015半导 体光电: -极管和光电晶体管测试方法
3术语、 定义和符号
GB/T 11499- -2001 和GB/T 15651界定的术语、定义和符号适用于本文件。
4要求
4.1设计和结构
4.1.1器件为金属玻璃光窗或金属陶瓷玻璃光窗封装结构，芯片结构分为单晶体管型和复合晶体管型(达林顿型)。
4.1.2器件的外形尺寸按 SJ/T 2247--1982的GD2、GD1-2和本规范附录A的规定。
4.1.3器件的光谱响应范围为 0.4 μm~1.1 pm。
SJ/T 2217-2014 硅光电晶体管技术规范
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