SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则

SJ/T 2658.1-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 1: General.
1范围
SJ/T 2658.1规定了对半导体红外发射二极管(以下简称器件)进行光电参数测量的一-般要求， 包括测试仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。
SJ/T 2658.1适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
本章无内容。
3一般要求
3.1 测试仪表
3.1.1通则
各有关光电参数的测试仪器应预先进行计量检定或校准。
3.1.2直流测试仪表
直流测试仪表的准确度应优于0.5%。
3.1.3交流测试仪表
3.1.3.1电容仪
电容仪的准确度应优于1%。
3.1.3.2工作点指示用电表
工作点指示用电表的准确度应优于2.5%。
3.1.4 示波器
示波器的响应时间应满足测量准确度的要求。
3.2 电源
测量设备中用交流整流作直流电源时，波纹系数应不大于0.1%，电压稳定度应优于1%。
3.3测试环境条件
3.3.1标准大气条件
3.3.2 仲裁大气条件
如果被测参数受到环境温度、相对湿度及大气压强的影响，则可在下列仲裁大气条件下进行测量,
特殊要求在产品标准及技术条件中规定。
仲裁大气条件:
温度: 25 C+1 C;
相对湿度: 48 %~52 %;
大气压强: 86 kPa~ 106kPe2
3.3.3其他环境条件
除另有规定外，其他环境条件应按下列规定
a)测试环境应无影响测量准确度的机械振动、 电磁、静电和光照等干抗;
b)器件全部光电参数均应在热 平衡下进行(要有足够的测量预热时间);
c)测量系应按地良好。

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