SJ/T 2658.2-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 2: Forward voltage.
1范围
SJ/T 2658.2规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)正向电压的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.2适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T 2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分: 总则
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
正向电压forward voltage
Vp
通过器件的正向电流为规定值时，在其两极间产生的电压降。
4一般要求
测量正向电压的- -般要求应符合SJ/T 2658.1的规定。
5测量方法
5.1测量原理图
正向电压的测量原理图见图1。
5.2测量步骤
正向电压的测量按下列步骤进行:
a)按图1连接测量系统，并进行仪器预热，
b)调节恒流源，便正向电流IF为规定值，读取直流电压表示数得到被测器件的丽向电压值。
5.3 规定条件
有关标准采用本方法时，应规定以下条件，
a)环境温度;
b)正向电流。
SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
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