SJ/T 2658.3-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 3: Reverse voltage and reverse current.
1范围
SJ/T 2658.3规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.3适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注8期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 15651-1995半导体器件 分 立器件和集成电路第5部分:光电子器件
SJ/T 2658.1半导体红外发射二极管测量方法 第1部分: 总则
3术语和定义
GB/T 15651- 1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
反向电压reverse voltage
通过器件的反向电流为规定值时，其两极间产生的电压降。
4一般要求
测量反向电压和反向电流的一-般要求应符合SJ/T 2658.1.
5反向电压的测量
5.1测量原理图
反向电压的测量原理图见图1.
5.2测量步骤
反向电压的测量按 下列步骤进行:
a)按图1连接测量系统， 并进行仪器预热:
b)调节稳压源， 使反向电流Ie为规定值,读取直流电压表的示数后得到被器件的反向电压值。
5.3规定条件
有关标准采用本方法时，应规定以下条件:
a)环境温度;
b)反向电流IRo
6反向电流 的测量
6.1测量原理图
反向电流的测量原理图见图2。
SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
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