SJ/T 1834-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK104.
前言
本规范按照GB/T 1.1- - 2009给出的规则起草。
本规范代替SJ/T 1834- -1981。 与SJ/T 1834- -1981相比，本规范主要技术变化如下:
一本规范外形尺寸、 测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。
一原标准开关参数t。 (载流子贮存时间)和1ε (下降时间)在本规范中合并为tof (关断时间) ,
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本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。
本规范起草单位:石家旺天林石无二电子有限公司。
本规范主要起草人:赵滨、宋凤领、吕瑞芹。
本规范于1981年首次发布，本次为第一次修订。
引言
本规范适用于3DK104型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T 6218- -1996 《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T 4589. 1- -2006《半导体器件第10部分: 分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T 12560- -1999 《半导体器件分 立器件分规范》的规定。
SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范
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