SJ/T 1486-2016.Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transistor.
引言
本标准适用于3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管。本标准按照GB/T 6217- -1998《半导体器件分立器件第7部分: 双极型晶体管第- -篇高低频放大环境额定 的双极型晶体管空白详细规范》制定,符合GB/T 4589.1-2006《半导体器件第10部分: 分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T 12560-1999《半导体器件分立器件分规范》的要求。
4规范性引用文件
下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本标准。
GB/T 4587- -1994 半导体分 立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
GB/T 4589.1- 2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 4937- -1995 半导体器件机械和气候试验方法
GB/T 6217- -1998半导体器件 分立器件第7 部分:双极型晶体管第一篇.高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
GB/T 7581- -1987 半导体分立器件外形尺寸
GB/T 12560- -1999 半导体器件 分立器件分规范
5极限值(绝对最大额定值)
极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。
SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管 详细规范
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