SJ/T 10627-1995.Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction.
1主题内容与适用范围
1.1主题内容
SJ/T 10627规定了通过测定热退火前后硅片中间隙氧含量的减少来表征氧沉淀特性的方法。
1.2 适用范围.
本标准适用于室温电阻率大于0.10. cm的N型或P型直拉硅晶片,其热循环可为单一温度或双温度。
2引用标准
GB/T1557硅单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 14143 300~900μum 硅片间隙氧含量的红外吸收测量方法
3方法原理概要
本方法是用红外光谱仪测定硅晶片中间隙氧含量在退火前后的减少来确定氧的沉淀特性。氧的沉淀与硅片退火前后间隙氧含量的减少具有对应关系。
4方法原理概要
a付里叶变换红外光谱仪或光栅式红外分光光度计,波数为1000cmn-1处,分辨率优于4cm-1;
b.热退火炉:温度范围750~ 1050C,控温精度士2C;
c合适的石英管、石英舟;
d.气管和进样装置。
5试验样品的选择和准备
5.1选择一组晶片作试验, 这组晶片中包括氧浓度整个范围。在问隙氧含量([O])0.5ppma间隔范围内，至少选择两个晶片。例如，如果一组[O]范围是3ppma, 则这组至少选择12个晶片。
SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
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