SJ/T 10789-1996.Glass passivated high voltage rectifier silicon stack for types 2CL24，2CL25，2CL27 and 2CL29.
本标准适用于2 CL24、2 CL25、2 CL27和2 CL29型玻璃钝化封装高压硅堆(简 称玻封高压硅堆)。它是按照GB6351-86《100A以下环境和管壳额定整流二极管空白详细规范》制定的，符合GB 4936.1-85 《半导体分立器件总规范》I类的要求。
中国电子元器件质量认证委员会标准化机构是中国电子技术标准化研究所。
6.2包装盒上的标志
6.2.1制造厂商标
6.2.2器件名称、型号、数量、质量类别
6.2.8检验批识别代码
6.2.4检验日期
6.2.5认证合格的产品，应有认证合格标志
6.2.6其他
7订货资料
订购本产品至少需要以下资料:
7.1 产品名称、型号、质量类别
7.2 订货数量
7.3产品详 细规范号
7.4 其他
8试验条件和检验要求
在本章中，除非另有规定,引用标准的条款号应对应于GB 4936.1-85总规范的条款号，测试方法引自总规范的6.1.1款。
A组一逐批
所右试验抓县非破坏件的(GB 4936.1-85的3.6.6款) 。
附录A
可焊性试验的补充要求
(补充件)
A.1加速老化
对于在器件制成后，又进行沾锡(或镀锡)的器件，需做加速老化。其条件是:100 C水蒸汽中置放1h。
A.2试验方法
a.优先采用焊槽法。
b.必要时， 可采用润湿称量法，按GB 2423.32-85 《电工电子产品基本环境试验规程润湿
称量法的可焊性试验》中规定的方法进行。润湿过程，按用非活性焊剂时，在3 s内达到理论润湿力的35 %。
SJ/T 10789-1996 电子元器件详细规范2CL24、2CL25、2CL27、2CL29型玻璃钝化封装高压硅堆
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