SJ/T 2658.10-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 10: Modulation bandwidth.
1范围
SJ/T 2658.10规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)调制带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.10适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2900.65-2004电工术语:照明
SJ/T 2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则
3术语和定义
GB/T 2900.65-2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
调制带宽modulation bandwidth
在规定的直流正向工作电流下对被测器件进行正弦电流调制，设探测器输出信号的最大幅度点对应的频率为fo,保持调制电流信号幅度不变，从fo开始增加信号源频率，当探测器的输出信号幅度下降到Po的50% (-3dB)时所对应的频率为f，则f与f%之差的两倍即为被测器件的调制带宽。
注:只要调制信号频率在探测器的线性响应范围内，探测器输出的交流电信号功率值就可等效为被测器件的辐射功率值。
4一般要求
测量调制带宽的一般要求应符合SJ/T 2658.1的规定。
5测量方法
5.1测量原理图
调制带宽的测量原理图见图1.
SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽
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