SJ/T 2658.11-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 11: Response time.
1范围
SJ/T 2658.11规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.11适用于半导体红外发射极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引|电文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T 2658半爵体红外发射二极管测量方法第1部分:总则
3术语和定义
下列术语利定义适用于本文件。
3.1
响应时间response time
在规定的正向矩形脉中电流作用下，被测器件辐射的光脉冲对作用的矩形电流脉冲的响应时间。其中，从电脉冲幅度的10%到光脉冲幅度的10 %所需的时间间隔为开通延迟时间fe(om);从光脉冲幅度的10%上到90%所需的时间间隔为上升时间t;被测器件的开通时间to为开通延迟时间ta(om)与上升时间t之和;从电脉冲幅度的90%到光脉冲幅度的90 %所需的时间间隔为关断延迟时间ta(om), 从光脉冲幅度的90 %下降到10 %所需的时间间隔为下降时间石关断时间o为关断延迟时间taomn与下降时间te之和(见图1)。
SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间
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