SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数

SJ/T 2658.13-2015.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 13: Temperature coefficient for radiant power.
1范围
SJ/T 2658.13规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.13适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
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SJ/T 2658.1半 导体红外发射二极管测量方法第1 部分:总则
SJ/T 2658.6半 导体红外发射二极管测量方法第6 部分:辐射功率
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
辐射功率温度系数temperature cofficient for radiant power
在规定的正向工作电流和温度范围内，器件辐射功率的变化量与温度变化量的比值。辐射功率温度系数按公式(1) 计算:
5.2测量步骤
辐射功率温度系数的测量按下列步骤进行:
a)按图1连接测量系统，并进行仪器预热,施加正向电流使其达到规定值IF,控温装置工作于规定的温度范围内;
b)在规定的温度范围内至少选取 10个温度点,并在每个温度点处恒温(恒温时间不小于15 min)后按SJ/T 2658.6中的积分球法测量相应的辐射功率，绘出辐射功率随温度变化特性曲线;
c)在辐射功率随温度变化特性 曲线的线性区内选取两个温度点T1和T2,读取T1、T2对应的辐射功率值Pe1和Pe2;
d) 按公式(2)计算辐射功率温度系数:

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