SJ/T 11398-2009.Technical specification for power light-emitting diode chips.
1范围
SJ/T 11398规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验规则和检验方法，芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本规范的引国面成归本规范的美善A是注风期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或性切版岛不适用于不规范，然而做提货本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新发本，此是不注日期的引用文件，其最新服本应用于本规范。
GB/T 4937.1-2016个导体器件机械和气候试验方法第1部分 总则CFC50749-1: 2002, IDT)
GB/T 4937-1995用导体器件机械和气候试验方法(idt 1E660749.19841)
SJ/T 11394-209半导体发光二极管测试方法
SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯城武方法
3要求
3.1通则
3.1.1优先顺序
芯片应符合本规范和相关羊细规范的所有要求。本规范的要求与相关详细规范不一致时，应以相关详细规范为准。
3.1.2对详细规范的引用
本规范中使用“技规定”一词而未指明引用的文件时，即指引用相关详细规范，
3.2材料、 结构和工艺乙
3.2.1材料
应采用能使芯片符合本规范性能要求的半导体材料，且所用材料在规定的试验条件下，应不起泡、不开裂、不软化、不流动或不出现影响贮存，工作和环境活能力的峡陷。
3.2.2外形尺寸
芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定。
3.2.3键合区
键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定。
3.2.4芯片的背衬材料:(背镀层)
芯片的背村材料和推荐的芯片附着方法应在相关详细规范中加以说明。
3.2.5倒装芯片 的载体材料
倒装芯片的载体材料和推荐的附着方法应在相关详细规范中加以说明。
3.3标志
芯片上的标志应符合相关详细规范的规定。
3.4外观质量
芯片的外观质量应符合附录A的要求。
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
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