SJ/T 11396-2009.The sapphire substrates for nitride based light-emitting diode.
1范围
SJ/T 11396规定了外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片的技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装运输和贮存等内容。
SJ/T 11396适用于制备半导体发光二极管的外廷氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片(以下简称“村底片”)。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过工标准的引用而成为本标准的条款。凡是找日明的国用文件，其随后的修改单(不包括勘误的内容)我候订服均不适用于本标准。然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新反本，凡是不注开期的开用文件，其最新适用于本标准，
GB/T 1031-199表面粗糙度台数及其数值
GB/T 1554-1995硅晶体完整生化学择优检验方法
GB/T 1555半一体单晶晶开测
GB/T 2828.2003计数抽样检验程序第1部分: 按接收质组限(AQL)检家的还 批检验抽样计划
GB/T 6618研厚度和总摩投变化测试方
GB/T 6619码中驾油度测试方法
GB/T 6620硅法由度非接触式测试方法
GB/T 6621在抛发表面平整度测试方法
GB/T 6624硅边光发表面质量目测检验方法0
GB/T 14264-1998 半导体材料术语
SJ 2074-1999导体林料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
3术语、 定义和符号
GB/T 14264-1993确立的术语和定义适用于本标准。
SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
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