SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法

SJ/T 11399-2009.Measurement methods for chips of light emitting diodes.
1范围
SJ/T 11399规定了半导体发光二极管芯片(以下简称芯片)的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。
SJ/T 11399适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过个标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后的修改单(不包括勘误的内容)或格订服均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本，凡是不在日期的对调文件，其最新版本适用于本保准
GB/T 5698- -2001颜色术
GB/T 11499-2001半导体分立器件文字
GB/T 15651-1995半导体器件分立器件和集成电路 第5部分: 光电子器仲TEC 60747-5: 1992，IDT)
SJ/T 11391-2009半导体发光二 极管测试方法
3术语、定义和符号
GB/T 5698、GB/.11499、CB/T 16651确立的以及下列术语、定义和符号适用干本标准。二 2
3.1
探针台probe staiion
由测试探针、小钱利意些组成，用政开电及易测各的电气连接的装性。
4芯片点亮和测试条件
4.1。芯片点亮条件
4.1.1探针台
4.1.1.1通则
芯片点亮时的结温变化对LED电参数、光参数和辐射通量、光的波长和颜色等都会有很大影响，同时，芯片点亮时的探针、基底等都有不稳定的因数，因此应该对探针和探针台基底的性能和参数作出规定，保证点亮和测试芯片时可以得到稳定可靠的测试数据。
4.1.1.2探针台基底
应该对放置芯片的探针台基底的大小，材质、表面反射率、表面接触性能和表面温度作出规定。
4.1.1.3测试探针
应该对测试探针的直径、弹性、压在芯片上的角度作出规定。
4.1.29点亮方式
4.1.2.1芯片电气连接
测试芯片时，将钨质探针压在芯片的电极上,完成与芯片的电气连接。
4.1.2.2双侧电极芯片

标准下载地址：