SJ 50033/163-2003.Semiconductor discrete device Detail specification of type 3DK457 for power switching transistors.
1范围
SJ 50033/163规定了3DK457型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。
2引用文件
下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件,其后的任何修改单(不包括勘误的内容)或修订版本不适用于本规范,但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注E期或版次的引用文件,其最新版本适用于本规范。
GBT 4587- -94半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
GJB 12300- -90功率品体管安 全工作区测试方法
GJB 33A-97半导体分立 器件总规范
GJB 128A-971导体分立器件试验方法
3要求
3.1总则
3DK457型功率开关晶体管应符合本规范和GJB 33A-97规定的所有要求。本规范的要求与总规范不一致时,应以本规范为准。
3.2设计、结构和外形尺寸
3.2.1概述
器件的设计和结构应按GJB 33A-97和本规范的规定。
3.2.2引出端材料和镀涂层
引出端两根引线材料为可伐,引出端表面为锡或镍。
3.2.3器件结构
采用外延平面结构,管芯与底座之间采用高温熔焊键合。
3.2.4外形尺寸
外形尺寸应符合本规范的规定(见图I)。