SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率

SJ/T 2658.16-2016.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 16: Photo-electric conversion efficiency.
1范围
SJ/T 2658.16规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)光电转换效率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.16适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T 2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则
SJ/T 2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分:辐射功率
3一般要求
测量光电转换效率总的要求应符合SJ/T 2658.1.
4测量方法
4.1测量原理
本方法通过测量被测器件辐射光功率与输入电功率的比值确定光电转换效率。
4.2测量步骤
光电转换效率的测量按下列步骤进行:
a)按SJT 2658.6中的测量步骤进行被测器件辐射功率Pou 的测量:
b)在被测器 件两端加电压表;
c)调节电流源，使正向电流1p为规定值，读取电压表示数并按该仪器校准规则修正后得到被测器件的正向电压值Vp;
d) 按公式(1)计算光电转换效率:

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