SJ/T 2658.14-2016.Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 14: Junction temperature.
1范围
SJ/T 2658.14规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)结温的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
SJ/T 2658.14适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T 2658.1半导 体红外发射二极管测量方法第1部分:总则
SJ/T 11394- -2009 半导体发光二极管测试方法
3一般要求
测量结温总的要求应符合SJ/T 2658. 1.
4测量方法
4.1测量原理
结温的测量原理见图1。本方法通过对被测器件施加不同电流,测量结电压增量和结温增量的关系，从而确定结温。
4.2测量步骤
结温的测量按下列步骤进行:
a)按图 1连接测量系统，并将开关置于位置1,给被测器件施加测量电流压，测量并记录此时的结电压Kkr;
注:I值采用被测器件PN结伏安特性曲线转折点的电流。
b)将开关快速置于位置2，用加热电流I快速替代不，要求电流I在持续时间内稳定，观察此时的正向电压K;
c)待K稳定后,将开关快速置于位置1，即用测量电流快速替代Ie,测量结电压Vr。
d)按SJ/T 11394- -2009中的方法5002测量K系数:
SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分:结温
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