SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法

SJ/T 11488-2015.Test method for measuring resistivity, hall coefficient and determining hall mobility in semi-insulating GaAs single crystals.
1范围
SJ/T 11488规定了半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法。
SJ/T 11488适用于电阻率在10* S2cm ~10° S2cm范围内的半绝缘砷化镓单晶材料电学参数的测量。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注8日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4方法原理
在一矩形半导体薄片上沿X轴方向通以电流I，在Z轴方向上加磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向(即Y轴方向)上产生电势差Vy。 这-现象称为霍尔效应， V;称为霍尔电压。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的,通过霍尔效应可以测定半绝缘砷化镓单晶的电学参数。
5干扰因素
测量温度、欧姆接触电极制备等均会对测量结果产生影响。
6仪器
测量仪器由下列部分组成:

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