SJ 20174-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of types 3DK2221、3DK2221A、3DK2222 and 3DK222A.
1范围
1.1主题内容
SJ 20174规定了3DK2221、3DK2221A、3DK2222和3DK222A型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范>的规定,提供产品保证的三个等级(GP .GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》中的A3-01B型及如下规定,见图1。
2引用文件
GB 4587- -84双 极型晶体管测试方法
GB7581-87半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-85半导体分立器件 总规范
GJB128--86半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。
3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定。
3.2.1引出端材料和涂层.
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定(见6)。
3. 标志
器件的标志应按GJB 33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定.
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对 GT和GCT级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。
SJ 20174-1992 半导体分立器件3DK2221、3DK2221A、3DK2222、3DK2222A型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
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