SJ 20188-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage regulator diodes for types 2CW3016~3051.
1范围
1.1 主题内容
SJ 20188规定了2CW 3016~ 3051型硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》中的D2-104型及如下规定,见图1。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应包括表1、表2和表3中规定的检验和试验。对于具体组或4.3.1中规定的电压组,鉴定检验要求进行最低电压组的最低和最高标称电压试验,以及其它各组的最高标称电压试验。制造厂有权选择提交样品,分别进行B组的6和7分组试验和C组的5和6分组试验;或进行加严组合试验,采用λ等于5栏内的样品数进行1000h试验。低气压试验只要求对最高标称电压型号的子批进行。除结构相似器件的检验程序不适用外,组的划分、各组待检验样品的数量、缺陷的判定以及缺陷数量均按GJB 33的规定。其它型号的10个样品应经受A组的2分组和C组的1分组检验(除低气压试验外)。
4.3质量一致性检验
质量一致性检验应由A组、B组和C组规定的检验和试验组成。A组检验和C组的1分组检验(低气压试验除外)应以子批进行。低气压试验应对最高电乐型号的子批在6个月内进行。B组检验(除6和7分组外)和C组的2、3和4分组检验应按GJB33的规定检验批进行。B组的6和7分组及C组的5和6分组检验应对具有50%最高电压型号样品和50%最高容量型号样品组成的批进行。
SJ 20188-1992 半导体分立器件2CW3016~3051型硅电压调整二极管详细规范
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