SJ 20176-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse- voltage transistor of types 3DG3439 and 3DG3440.
1范围
1.1主题内容
SJ 20176规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP ,GT和GCT级)。
2引用文件
GB 4587-84双极型晶体管测试方法
GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-85半导体分立器件总规范
GJB 128--86半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。
3.2设计、 结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。
3.2.1引出 端材料和涂层.
引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定(见6)。
3.3标志
器件的标志应按GJB 33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和 检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB 33的规定。
4.3 筛选(仅对GT和GCT级)
筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。
SJ 20176-1992 半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
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