SJ 20186-1992.semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage regulator diodes for types 2CW2970~3015,2CW3016~3051.
1范围
1.1主题内容
SJ 20186规定了2CW2970~3015型的B型(标准极性)、RB型(反极性)硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP ,GT和GCT级)。
1.2 外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中的C1-01A型和本规范图1的规定。
2有关文件
GB 6571- -86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法.
GB 7581- -87半导体分立器件外形尺寸
GJB 33- -85半导体分立器件总规范
GJB 128- -86半导体分立器件试验方法
3要求
3.1 详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。
3.2 设计、结构和外形尺寸
半导体二极管的设计、结构和外形尺寸应按本规范图1的规定,标准极性器件(B型)的阳极应接螺栓,反极性器件(RB型)的阴极应接螺栓。
3.2.1引线涂层
引线表面应有金、银或锡的镀层。若需要选择引线涂层,则应在合同中规定(见6条)。
3.3标志
所有器件的标志均应按G]B 33的规定。
3.3.1反极性器件
阴极接螺栓。
SJ 20186-1992 半导体分立器件2CW2970~3015、2CW3016~3051型硅电压调整二极管详细规范
标准下载地址：