SJ 20185-1992.Semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage reference diodes for types 2DW232~236.
1范围
1.1主题内容
SJ 20185规定了2DW232~ 2DW236型硅电压基准二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB33(半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP.GT和GCT级)。
1.2外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中代号为A3-02B型的规定,如图1所示。
1.4主要电特性
见表5。
2引用文件
GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法
GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-85半导体分立器件总规范
GJB 128-86半导体分立器件试验方法
3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33和本规范的规定。
3.2设计结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定.
3.2.1引线材料和涂 层
引线材料应是可伐(铁.镍、钴合金)、杜美丝(铜被铁镍合金)或铜丝等材料。引线涂层应镀金或镀银,亦可镀锡或浸锡。选用的材料和涂层可在订货单或合同中规定(见6.2)。
3.2.2器件内 部结构
芯片与支架采用治金烧绪,芯片与内引线末端采用超声键合工艺。
3.3测试方法
测试方法应按GB6571及本规范的规定.
3.4标志
器件上的标志应符合GJB 33及本规范的规定。
3.4.1极性
器件的阴极以该极近旁的白色色点表示。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应符合GJB 33的规定。
4.3筛选(仅对GT 和GCT级)
筛选应符合本规范的规定.电特性测量应按本规范表4的规定进行,超过本规范表4中极限值的器件不应接收。
SJ 20185-1992 半导体分立器件2DW232~236型硅电压基准二极管详细规范
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